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HT2201
HT2201
HT2201 这是一个1 HT2201 K-bit系列读/写非挥发性记忆装置利用CMOS浮动门的过程。它的1024位元的记忆分为128个单词,每个单词是8位。该装置优化用于在许多工业和商业应用在低功率和低电压操作是必要的。100万年的保修HT2201删除/写周期和40年之久的数据保留。
HT24LC64
HT24LC64
HT24LC64 这是一个64 K-bit HT24LC64 2线串行读/写非挥发性记忆装置利用CMOS浮动门的过程。它的65536位元的记忆8192个单词,并分为8比特/的话。该装置优化用于在许多工业和商业应用在低功率和低电压操作是必要的。这HT24LC64可靠性高耐力的1米/写周期和40年消除数据保留。
HT24LC32
HT24LC32
HT24LC32 这是一个32 K-bit HT24LC32 2线串行读/写非挥发性记忆装置利用CMOS浮动门的过程。它的32768位元的记忆4096个单词,并分为8比特/的话。该装置优化用于在许多工业和商业应用在低功率和低电压操作是必要的。这HT24LC32可靠性高耐力的1米/写周期和40年消除数据保留。
HT24LC16
HT24LC16
HT24LC16 这是一个16 K-bit HT24LC16系列读/写非挥发性记忆装置利用CMOS浮动门的过程。它的16384位元的记忆分为2048个单词,每个单词是8位。该装置优化用于在许多工业和商业应用在低功率和低电压操作是必要的。只有一个HT24LC16设备可能连接到同一2线巴士。这HT24LC16保修1米/写周期和40年消除数据保留。
HT24LC08
HT24LC08
HT24LC08 这是一个八HT24LC08 K-bit系列读/写非挥发性记忆装置利用CMOS浮动门的过程。它的8192位元的记忆分为1024个单词,每个单词是8位。该装置优化用于在许多工业和商业应用在低功率和低电压操作是必要的。两HT24LC08设备可能连接到同一2线巴士。这HT24LC08保修1米/写周期和40年消除数据保留。
HT24LC04
HT24LC04
HT24LC04 这是一个4 K-bit HT24LC04系列读/写非挥发性记忆装置利用CMOS浮动门的过程。它的4096位元的记忆分为512个单词,每个单词是8位。该装置优化用于在许多工业和商业应用在低功率和低电压操作是必要的。4 HT24LC04设备可能连接到同一两线巴士。这HT24LC04保修1米/写周期和40年消除数据保留。
HT24LC02
HT24LC02
HT24LC02 这是一个二HT24LC02 K-bit系列读/写非挥发性记忆装置利用CMOS浮动门的过程。它的2048位元的记忆分为256个单词,每个单词是8位。该装置优化用于在许多工业和商业应用在低功率和低电压操作是必要的。8 HT24LC02设备可能连接到同一两线巴士。这HT24LC02保修1米/写周期和40年消除数据保留。
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